NXH350N100H4Q2F2P1G是安森美旗下的IGBT模塊 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供NXH350N100H4Q2F2P1G現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供NXH350N100H4Q2F2P1G datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Three Level Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 303 A |
| Power - Max | 276 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 375A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 24.146 nF @ 20 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | 42-PIM/Q2PACK (93x47) |
NXH350N100H4Q2F2P1G 是由 安森美 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Three Level Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V、Current - Collector (Ic) (Max): 303 A、Power - Max: 276 W。
NXH350N100H4Q2F2P1G 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（2.3V @ 15V, 375A）、Current - Collector Cutoff (Max)（1 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（24.146 nF @ 20 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（Yes） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創新驅動者，致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰中遇到的難題。
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深圳凌創輝電子有限公司是安森美代理商，專業供應NXH350N100H4Q2F2P1G等IGBT模塊 產品。如您需要NXH350N100H4Q2F2P1G的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
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