| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Power - Max | 285 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.8 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
FF50R12RT4HOSA1 是由 英飛凌科技 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MOD 1200V 50A 285W。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Half Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Power - Max: 285 W。
FF50R12RT4HOSA1 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（2.15V @ 15V, 50A）、Current - Collector Cutoff (Max)（1 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（2.8 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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