| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Power - Max | 166 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 25A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.45 nF @ 25 V |
| Input | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | E1 |
MIP25R12E1TN-BP 是由 微電子元件公司 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MODULES 1200V 25A, E1。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Configuration: Three Phase Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 25 A、Power - Max: 166 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A。
MIP25R12E1TN-BP 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)（1 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（1.45 nF @ 25 V）、Input（Three Phase Bridge Rectifier）、NTC Thermistor（Yes）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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