MIP50R12E1ATN-BP是微電子元件公司旗下的IGBT模塊 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MIP50R12E1ATN-BP現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供MIP50R12E1ATN-BP datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Power - Max | 288 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.6 nF @ 25 V |
| Input | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | E1A |
MIP50R12E1ATN-BP 是由 微電子元件公司 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MODULES 1200V 50A, E1A。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Configuration: Three Phase Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Power - Max: 288 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A。
MIP50R12E1ATN-BP 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)（1 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（2.6 nF @ 25 V）、Input（Three Phase Bridge Rectifier）、NTC Thermistor（Yes）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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