| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Configuration | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 860 A |
| Power - Max | 2800 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 800A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500 μA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 36 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | D4 |
| Supplier Device Package | D4 |
APTGF660U60D4G 是由 美高森美 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MODULE 600V 860A 2800W D4。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Configuration: Single、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 860 A、Power - Max: 2800 W。
APTGF660U60D4G 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（2.45V @ 15V, 800A）、Current - Collector Cutoff (Max)（500 μA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（36 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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