APTGT100DH170G是美高森美旗下的IGBT模塊 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供APTGT100DH170G現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供APTGT100DH170G datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Asymmetrical Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Power - Max | 560 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 100A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 350 μA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 9 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP6 |
| Supplier Device Package | SP6 |
APTGT100DH170G 是由 美高森美 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MODULE 1700V 150A 560W SP6。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Asymmetrical Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V、Current - Collector (Ic) (Max): 150 A、Power - Max: 560 W。
APTGT100DH170G 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（2.4V @ 15V, 100A）、Current - Collector Cutoff (Max)（350 μA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（9 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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