| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 32 A |
| Power - Max | 62 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250 μA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.1 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP1 |
| Supplier Device Package | SP1 |
APTGT20A60T1G 是由 美高森美 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MODULE 600V 32A 62W SP1。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Half Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 32 A、Power - Max: 62 W。
APTGT20A60T1G 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（1.9V @ 15V, 20A）、Current - Collector Cutoff (Max)（250 μA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（1.1 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（Yes） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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