FZ800R12KS4B2NOSA1是英飛凌科技旗下的IGBT模塊 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FZ800R12KS4B2NOSA1現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供FZ800R12KS4B2NOSA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1200 A |
| Power - Max | 7600 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 800A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 52 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
FZ800R12KS4B2NOSA1 是由 英飛凌科技 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MOD 1200V 1200A 7600W。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Configuration: Single、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A、Power - Max: 7600 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 800A。
FZ800R12KS4B2NOSA1 共有 14 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)（5 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（52 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No）、Operating Temperature（-40°C ~ 125°C） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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