| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Dual Boost Chopper |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 41 A |
| Power - Max | 103 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200 μA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 9.7 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5) |
NXH80B120H2Q0SNG 是由 安森美 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。PIM POWER MODULE。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Configuration: Dual Boost Chopper、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 41 A、Power - Max: 103 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A。
NXH80B120H2Q0SNG 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)（200 μA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（9.7 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（Yes）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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