BSM200GA120DN2FSE32HOSA1是英飛凌科技旗下的IGBT模塊 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供BSM200GA120DN2FSE32HOSA1現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供BSM200GA120DN2FSE32HOSA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Single Switch |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 A |
| Power - Max | 1550 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 200A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 4 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 13 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
BSM200GA120DN2FSE32HOSA1 是由 英飛凌科技 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MOD。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Configuration: Single Switch、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 300 A、Power - Max: 1550 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A。
BSM200GA120DN2FSE32HOSA1 共有 14 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)（4 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（13 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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