FII30-12E是力特旗下的IGBT陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FII30-12E現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供FII30-12E datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 33 A |
| Power - Max | 150 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 20A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200 μA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.2 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | i4-Pac?-5 |
| Supplier Device Package | ISOPLUS i4-PAC? |
FII30-12E 是由 力特 制造的 IGBT陣列 類電子元器件。IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Configuration: Half Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 33 A、Power - Max: 150 W。
FII30-12E 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（2.9V @ 15V, 20A）、Current - Collector Cutoff (Max)（200 μA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（1.2 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 力特：力特產(chǎn)品在利用電能的應(yīng)用中是至關(guān)重要的組件，從消費(fèi)電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施。他們提供業(yè)界最廣泛和最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品組合，同時(shí)在電源控制和傳感領(lǐng)域不斷擴(kuò)展。作為其加速有機(jī)增長和戰(zhàn)略收購的企業(yè)戰(zhàn)略的一部分，他們正在擴(kuò)展到相鄰市場。這些市場包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機(jī)電和溫度傳感器；以及提供安全控制和分配電能的產(chǎn)品。
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