SCT3160KLGC11是羅姆半導(dǎo)體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供SCT3160KLGC11現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供SCT3160KLGC11 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 5A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 398 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 103W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Package / Case | TO-247-3 |
SCT3160KLGC11 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 1200V 17A TO247N。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
SCT3160KLGC11 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（208mOhm @ 5A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5.6V @ 2.5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（42 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（398 pF @ 800 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機(jī)、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
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