| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 93A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6mOhm @ 36A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2208 pF @ 500 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 339W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Package / Case | TO-247-3 |
SCT3022ALGC11 是由 羅姆半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 650V 93A TO247N。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
SCT3022ALGC11 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（28.6mOhm @ 36A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5.6V @ 18.2mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（133 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2208 pF @ 500 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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