BSS806NEH6327XTSA1是英飛凌科技旗下的單 FET、MOSFET 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供BSS806NEH6327XTSA1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供BSS806NEH6327XTSA1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 11μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 2.5 V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 529 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
BSS806NEH6327XTSA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V。
BSS806NEH6327XTSA1 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（57mOhm @ 2.3A, 2.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（750mV @ 11μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.7 nC @ 2.5 V）、Vgs (Max)（±8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（529 pF @ 10 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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