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| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 4.1W (Ta), 24W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN-EP (3x3) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
AONR21321 是由 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
AONR21321 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（16.5mOhm @ 12A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（34 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±25V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1180 pF @ 15 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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