| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 895 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SuperSOT?-6 |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
FDC637BNZ 是由 安森美 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V。
FDC637BNZ 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（24mOhm @ 6.2A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（12 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（895 pF @ 10 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創新驅動者，致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰中遇到的難題。
FDC637BNZ 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 安森美 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供FDC637BNZ價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 FDC637BNZ 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是安森美代理商，專業供應FDC637BNZ等單 FET、MOSFET 產品。如您需要FDC637BNZ的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供FDC637BNZ現貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發貨速度快。聯系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
