| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 20 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.65W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
BSP250,115 是由 Nexperia 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 30V 3A SOT223。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
BSP250,115 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（250mOhm @ 1A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.8V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（25 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（250 pF @ 20 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球領先的、專注于大批量生產關鍵半導體的專家。作為電子元器件領域不可或缺的組成部分，Nexperia提供的各類電子元件是每一項電子設計得以實現的基礎。公司擁有豐富的產品組合，涵蓋了二極管、雙極晶體管、ESD（靜電放電）保護器件、MOSFETs、GaN（氮化鎵）FETs以及模擬與邏輯IC芯片等核心電子產品。
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