CXDM6053N TR PBFREE是中央半導(dǎo)體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供CXDM6053N TR PBFREE現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供CXDM6053N TR PBFREE datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 5.3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 30 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Package / Case | TO-243AA |
CXDM6053N TR PBFREE 是由 中央半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
CXDM6053N TR PBFREE 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（41mOhm @ 5.3A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（8.8 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（920 pF @ 30 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 中央半導(dǎo)體：Central Semiconductor，中文名「中央半導(dǎo)體」，自1974年起，便致力于為全球電子產(chǎn)品制造創(chuàng)新型分立式半導(dǎo)體元器件。作為業(yè)界資深的電子元件制造商，中央半導(dǎo)體在數(shù)十年的發(fā)展歷程中，憑借其卓越的技術(shù)實力和對品質(zhì)的不懈追求，贏得了廣泛的市場認(rèn)可。其核心產(chǎn)品線涵蓋了種類繁多的電子元件，包括但不限于標(biāo)準(zhǔn)及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護(hù)器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管，以及前沿的碳化硅（SiC）器件。這些高質(zhì)量的IC芯片和分立半導(dǎo)體元件，是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的組成部分。
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