CGD65B200S2-T13是劍橋氮化鎵器件旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供CGD65B200S2-T13現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供CGD65B200S2-T13 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | - |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 9V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 2.75mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 12 V |
| Vgs (Max) | +20V, -1V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | Current Sensing |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
CGD65B200S2-T13 是由 劍橋氮化鎵器件 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 9V, 20V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 600mA, 12V。
CGD65B200S2-T13 共有 14 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4.2V @ 2.75mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.4 nC @ 12 V）、Vgs (Max)（+20V, -1V）、FET Feature（Current Sensing）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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