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| Product Status | Active |
| FET Type | - |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 2.2A, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 12 V |
| Vgs (Max) | +20V, -1V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | Current Sensing |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 16-DFN (8x8) |
| Package / Case | 16-PowerVDFN |
CGD65A055S2-T07 是由 劍橋氮化鎵器件 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 2.2A, 12V。
CGD65A055S2-T07 共有 14 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(4.2V @ 10mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(6 nC @ 12 V)、Vgs (Max)(+20V, -1V)、FET Feature(Current Sensing)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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