GPI65030DFN是鎵能旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供GPI65030DFN現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供GPI65030DFN datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
如需獲取GPI65030DFN的最新價格或技術支持，請聯(lián)系我們：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 6 V |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 241 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
| Package / Case | Die |
GPI65030DFN 是由 鎵能 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V。
GPI65030DFN 共有 14 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 3.5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（5.8 nC @ 6 V）、Vgs (Max)（+7.5V, -12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（241 pF @ 400 V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 鎵能：**GaNPower（鎵能）：引領新一代功率電子器件的創(chuàng)新力量**
GPI65030DFN 現(xiàn)貨庫存充足，可通過深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司立即采購。作為 鎵能 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供GPI65030DFN價格報價查詢、datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 GPI65030DFN 的最新價格和交期信息。
深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是鎵能代理商，專業(yè)供應GPI65030DFN等單 FET、MOSFET 產(chǎn)品。如您需要GPI65030DFN的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術支持。
我們提供GPI65030DFN現(xiàn)貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發(fā)貨速度快。聯(lián)系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
