| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1242 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-QFN (2x2) |
| Package / Case | 8-PowerUDFN |
DI006P02PW 是由 泰迪半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET, POWERQFN 2X2, -20V, -6A,。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V。
DI006P02PW 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（25mOhm @ 6A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（13 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1242 pF @ 10 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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