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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Package / Case | TO-220-3 |
NP80N055MDG-S18-AY 是由 日電 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 55V 80A TO220。該器件的核心參數包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 40A, 10V。
NP80N055MDG-S18-AY 共有 14 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(2.5V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(135 nC @ 10 V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(6900 pF @ 25 V)、Power Dissipation (Max)(1.8W (Ta), 115W (Tc))、Operating Temperature(175°C (TJ)) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 日電:NEC Corporation 是一家總部位于日本的全球性信息技術公司,成立于1899年。作為一家多元化的企業,NEC 在通信、計算機、電子設備和系統集成等領域擁有廣泛的業務。公司致力于通過創新技術解決社會問題,提供包括人工智能、物聯網、云計算和網絡安全在內的先進解決方案。NEC 在全球范圍內擁有強大的市場影響力,尤其在公共安全、交通管理和企業解決方案方面表現突出。公司秉承“通過創新實現社會價值”的理念,不斷推動技術進步,助力構建更加智能和可持續的未來。
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