DI012N60D1是泰迪半導(dǎo)體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供DI012N60D1現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供DI012N60D1 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1210 pF @ 150 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252-3, DPak |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
DI012N60D1 是由 泰迪半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
DI012N60D1 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（260mOhm @ 8A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（25 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1210 pF @ 150 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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