NP82N04NLG-S18-AY是日電旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供NP82N04NLG-S18-AY現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢(xún)。我們可為您提供NP82N04NLG-S18-AY datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢(xún)價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 82A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 41A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
NP82N04NLG-S18-AY 是由 日電 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。MOSFET N-CH 40V 82A TO262。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V。
NP82N04NLG-S18-AY 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（150 nC @ 10 V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（9 pF @ 25 V）、Power Dissipation (Max)（1.8W (Ta), 143W (Tc)）、Operating Temperature（175°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 日電：NEC Corporation 是一家總部位于日本的全球性信息技術(shù)公司，成立于1899年。作為一家多元化的企業(yè)，NEC 在通信、計(jì)算機(jī)、電子設(shè)備和系統(tǒng)集成等領(lǐng)域擁有廣泛的業(yè)務(wù)。公司致力于通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)解決社會(huì)問(wèn)題，提供包括人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)安全在內(nèi)的先進(jìn)解決方案。NEC 在全球范圍內(nèi)擁有強(qiáng)大的市場(chǎng)影響力，尤其在公共安全、交通管理和企業(yè)解決方案方面表現(xiàn)突出。公司秉承“通過(guò)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)社會(huì)價(jià)值”的理念，不斷推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步，助力構(gòu)建更加智能和可持續(xù)的未來(lái)。
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