2SJ606-ZK-E1-AY是日電旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供2SJ606-ZK-E1-AY現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供2SJ606-ZK-E1-AY datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 83A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 42A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 120W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-220SMD |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
2SJ606-ZK-E1-AY 是由 日電 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。P-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
2SJ606-ZK-E1-AY 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（15mOhm @ 42A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（120 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（4800 pF @ 10 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 日電：NEC Corporation 是一家總部位于日本的全球性信息技術(shù)公司，成立于1899年。作為一家多元化的企業(yè)，NEC 在通信、計算機、電子設(shè)備和系統(tǒng)集成等領(lǐng)域擁有廣泛的業(yè)務(wù)。公司致力于通過創(chuàng)新技術(shù)解決社會問題，提供包括人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、云計算和網(wǎng)絡(luò)安全在內(nèi)的先進(jìn)解決方案。NEC 在全球范圍內(nèi)擁有強大的市場影響力，尤其在公共安全、交通管理和企業(yè)解決方案方面表現(xiàn)突出。公司秉承“通過創(chuàng)新實現(xiàn)社會價值”的理念，不斷推動技術(shù)進(jìn)步，助力構(gòu)建更加智能和可持續(xù)的未來。
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