TP65H070G4LSGB-TR是Transphorm旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供TP65H070G4LSGB-TR現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供TP65H070G4LSGB-TR datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 700μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (8x8) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
TP65H070G4LSGB-TR 是由 Transphorm 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
TP65H070G4LSGB-TR 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（85mOhm @ 16A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.6V @ 700μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（8.4 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（600 pF @ 400 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 Transphorm：Transphorm (Nasdaq: TGAN) 是一家全球領(lǐng)先的高性能、高可靠性氮化鎵（GaN）**元器件**制造商，專注于高壓**電子元件**的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)與生產(chǎn)。公司擁有業(yè)界規(guī)模龐大的GaN知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，超過1000項(xiàng)專利，這使其能夠提供行業(yè)內(nèi)最全面的GaN**IC芯片**產(chǎn)品線，覆蓋從45瓦到10千瓦以上廣泛的功率等級(jí)，滿足多樣化的應(yīng)用需求。Transphorm的SuperGaN?平臺(tái)核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)顯著，在可制造性、設(shè)計(jì)靈活性、驅(qū)動(dòng)性能和可靠性方面均表現(xiàn)卓越。
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