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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.7V @ 700μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 638 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Package / Case | TO-220-3 |
TP65H070G4PS 是由 Transphorm 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。GANFET N-CH 650V 29A TO220。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
TP65H070G4PS 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(85mOhm @ 18A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4.7V @ 700μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(9 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(638 pF @ 400 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū),獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 Transphorm:Transphorm (Nasdaq: TGAN) 是一家全球領(lǐng)先的高性能、高可靠性氮化鎵(GaN)**元器件**制造商,專注于高壓**電子元件**的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)與生產(chǎn)。公司擁有業(yè)界規(guī)模龐大的GaN知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合,超過(guò)1000項(xiàng)專利,這使其能夠提供行業(yè)內(nèi)最全面的GaN**IC芯片**產(chǎn)品線,覆蓋從45瓦到10千瓦以上廣泛的功率等級(jí),滿足多樣化的應(yīng)用需求。Transphorm的SuperGaN?平臺(tái)核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)顯著,在可制造性、設(shè)計(jì)靈活性、驅(qū)動(dòng)性能和可靠性方面均表現(xiàn)卓越。
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