| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +20V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 159W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
P3M06060G7 是由 PN結半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V。
P3M06060G7 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（79mOhm @ 20A, 15V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 20mA (Typ)）、Vgs (Max)（+20V, -8V）、Power Dissipation (Max)（159W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 PN結半導體：PN Junction Semiconductor，中文名“PN結半導體”，是一家專注于高性能功率半導體器件設計與銷售的創新型企業，采用Fabless（無晶圓廠）模式，致力于為全球客戶提供領先的電子元器件解決方案。品牌自成立以來，便與全球頂級的晶圓代工廠X-FAB建立了深厚的戰略合作伙伴關系。X-FAB作為一家擁有超過30年歷史且完全通過汽車行業嚴苛認證的晶圓廠，為PN結半導體提供了卓越的硅碳化物（SiC）功率器件制造支持，確保了產品的高品質與可靠性，使其在競爭激烈的元器件市場中脫穎而出。
P3M06060G7 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 PN結半導體 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供P3M06060G7價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 P3M06060G7 的最新價格和交期信息。
深圳凌創輝電子有限公司是PN結半導體代理商，專業供應P3M06060G7等單 FET、MOSFET 產品。如您需要P3M06060G7的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
我們提供P3M06060G7現貨庫存查詢與價格報價，支持批量采購與在線詢價，原裝正品保障，發貨速度快。聯系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
