| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 96mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 136W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
P3M12080G7 是由 PN結半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 1200V 32A TO-263-7。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V。
P3M12080G7 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（96mOhm @ 20A, 15V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 30mA (Typ)）、Vgs (Max)（+19V, -8V）、Power Dissipation (Max)（136W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 PN結半導體：PN Junction Semiconductor，中文名“PN結半導體”，是一家專注于高性能功率半導體器件設計與銷售的創新型企業，采用Fabless（無晶圓廠）模式，致力于為全球客戶提供領先的電子元器件解決方案。品牌自成立以來，便與全球頂級的晶圓代工廠X-FAB建立了深厚的戰略合作伙伴關系。X-FAB作為一家擁有超過30年歷史且完全通過汽車行業嚴苛認證的晶圓廠，為PN結半導體提供了卓越的硅碳化物（SiC）功率器件制造支持，確保了產品的高品質與可靠性，使其在競爭激烈的元器件市場中脫穎而出。
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