| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 28 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tj) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | 4-Power Tab |
| Package / Case | 4-SIP |
HTNFET-T 是由 霍尼韋爾航空航天 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V。
HTNFET-T 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 100μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4.3 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（290 pF @ 28 V）、Power Dissipation (Max)（50W (Tj)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 霍尼韋爾航空航天：Honeywell Aerospace，作為全球領先的航空航天技術和服務供應商，以其卓越的創新能力和深厚的技術積淀，在電子元器件領域扮演著舉足輕重的角色。公司數十年來一直致力于高精度慣性傳感器（IMU）的研發與生產，并已成功交付超過五十萬個單位，這些核心電子元件廣泛應用于當今幾乎所有飛行中的飛機和航天器上，為其提供至關重要的導航支持。Honeywell Aerospace憑借其在傳感器技術方面的核心優勢，不斷推動航空航天乃至更廣泛工業領域的進步。
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