| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 700μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 8 V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
TPH3205WSB 是由 Transphorm 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GANFET N-CH 650V 36A TO247-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
TPH3205WSB 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（60mOhm @ 22A, 8V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.6V @ 700μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（42 nC @ 8 V）、Vgs (Max)（±18V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2200 pF @ 400 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 Transphorm：Transphorm (Nasdaq: TGAN) 是一家全球領先的高性能、高可靠性氮化鎵（GaN）**元器件**制造商，專注于高壓**電子元件**的功率轉換系統設計與生產。公司擁有業界規模龐大的GaN知識產權組合，超過1000項專利，這使其能夠提供行業內最全面的GaN**IC芯片**產品線，覆蓋從45瓦到10千瓦以上廣泛的功率等級，滿足多樣化的應用需求。Transphorm的SuperGaN?平臺核心技術優勢顯著，在可制造性、設計靈活性、驅動性能和可靠性方面均表現卓越。
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