CTLDM8002A-M621H TR是中央半導體旗下的單 FET、MOSFET 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供CTLDM8002A-M621H TR現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供CTLDM8002A-M621H TR datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 280mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 70 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TLM621H |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
CTLDM8002A-M621H TR 是由 中央半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 50V 280MA TLM621H。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V。
CTLDM8002A-M621H TR 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2.5Ohm @ 500mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.72 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（70 pF @ 25 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 中央半導體：Central Semiconductor，中文名「中央半導體」，自1974年起，便致力于為全球電子產品制造創新型分立式半導體元器件。作為業界資深的電子元件制造商，中央半導體在數十年的發展歷程中，憑借其卓越的技術實力和對品質的不懈追求，贏得了廣泛的市場認可。其核心產品線涵蓋了種類繁多的電子元件，包括但不限于標準及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管，以及前沿的碳化硅（SiC）器件。這些高質量的IC芯片和分立半導體元件，是現代電子設備不可或缺的組成部分。
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