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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | - |
| Technology | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | - |
| Supplier Device Package | - |
| Package / Case | - |
BSS123,215 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。BSS1N-CHANNTRENMOSFET。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete。
關(guān)于 恩智浦半導(dǎo)體:**恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors):連接未來,驅(qū)動智能世界**
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