A2T18S162W31GSR3是恩智浦半導(dǎo)體旗下的RF FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供A2T18S162W31GSR3現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供A2T18S162W31GSR3 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
如需獲取A2T18S162W31GSR3的最新價(jià)格或技術(shù)支持，請聯(lián)系我們：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
| Product Status | Obsolete |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | - |
| Frequency | 1.84GHz |
| Gain | 20.1dB |
| Voltage - Test | 28 V |
| Current Rating (Amps) | - |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 1 A |
| Power - Output | 32W |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | NI-780GS-2L2LA |
| Supplier Device Package | NI-780GS-2L2LA |
A2T18S162W31GSR3 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。IC TRANS RF LDMOS。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS、Frequency: 1.84GHz、Gain: 20.1dB、Voltage - Test: 28 V、Current - Test: 1 A。
A2T18S162W31GSR3 共有 11 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Output（32W）、Voltage - Rated（65 V）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（NI-780GS-2L2LA）、Supplier Device Package（NI-780GS-2L2LA） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 恩智浦半導(dǎo)體：**恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）：連接未來，驅(qū)動智能世界**
A2T18S162W31GSR3 現(xiàn)貨庫存充足，可通過深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司立即采購。作為 恩智浦半導(dǎo)體 代理商和供應(yīng)商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供A2T18S162W31GSR3價(jià)格報(bào)價(jià)查詢、datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦服務(wù)，支持批量采購與在線詢價(jià)。立即申請報(bào)價(jià)，獲取 A2T18S162W31GSR3 的最新價(jià)格和交期信息。
深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是恩智浦半導(dǎo)體代理商，專業(yè)供應(yīng)A2T18S162W31GSR3等RF FET、MOSFET 產(chǎn)品。如您需要A2T18S162W31GSR3的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
我們提供A2T18S162W31GSR3現(xiàn)貨庫存查詢與價(jià)格報(bào)價(jià)，支持批量采購與在線詢價(jià)，原裝正品保障，發(fā)貨速度快。聯(lián)系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
