A2I20H060GNR1是恩智浦半導體旗下的RF FET、MOSFET 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供A2I20H060GNR1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供A2I20H060GNR1 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | LDMOS (Dual) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| Frequency | 1.8GHz ~ 2.2GHz |
| Gain | 32.4dB |
| Voltage - Test | 28 V |
| Current Rating (Amps) | - |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 24 mA |
| Power - Output | 12W |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-270WBG-15 |
| Supplier Device Package | TO-270WBG-15 |
A2I20H060GNR1 是由 恩智浦半導體 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。A2I20H060GN - Airfast RF LDMOS W。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: LDMOS (Dual)、Configuration: 2 N-Channel、Frequency: 1.8GHz ~ 2.2GHz、Gain: 32.4dB、Voltage - Test: 28 V。
A2I20H060GNR1 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Current - Test（24 mA）、Power - Output（12W）、Voltage - Rated（65 V）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-270WBG-15） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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