| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A, 2.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V |
| Power - Max | 840mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | TSOT-26 |
DMG6602SVT-7 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A。
DMG6602SVT-7 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（60mOhm @ 3.1A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（13nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（400pF @ 15V）、Power - Max（840mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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