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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220mA, 410mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 220mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Power - Max | 300mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
FDG6322C 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N/P-CH 25V SC70-6。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA。
FDG6322C 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(4Ohm @ 220mA, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1.5V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(0.4nC @ 4.5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(9.5pF @ 10V)、Power - Max(300mW) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美:安森美(onsemi)作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者,致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局,為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營(yíng)產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別,包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分,安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合,有效應(yīng)對(duì)客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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