IPG20N06S4L26ATMA1是英飛凌科技旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供IPG20N06S4L26ATMA1現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供IPG20N06S4L26ATMA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 25V |
| Power - Max | 33W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
IPG20N06S4L26ATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A。
IPG20N06S4L26ATMA1 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（26mOhm @ 17A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 10μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（20nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1430pF @ 25V）、Power - Max（33W） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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