BSO615CGXUMA1是英飛凌科技旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供BSO615CGXUMA1現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供BSO615CGXUMA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Last Time Buy |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta), 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20μA, 2V @ 450μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V, 460pF @ 25V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
BSO615CGXUMA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N/P-CH 8-SOIC。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Last Time Buy、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 2A (Ta)。
BSO615CGXUMA1 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 20μA, 2V @ 450μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（380pF @ 25V, 460pF @ 25V）、Power - Max（2W (Ta)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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