| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5.1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 25V |
| Power - Max | 2.4W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
IRF7341GTRPBF 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N-CH 55V 5.1A。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V。
IRF7341GTRPBF 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250μA (Min)）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（44nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（780pF @ 25V）、Power - Max（2.4W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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