BSM300D12P2E001是羅姆半導體旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供BSM300D12P2E001現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供BSM300D12P2E001 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 68mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 35000pF @ 10V |
| Power - Max | 1875W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
BSM300D12P2E001 是由 羅姆半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 1200V 300A。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)、Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 68mA。
BSM300D12P2E001 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（35000pF @ 10V）、Power - Max（1875W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（Module） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
BSM300D12P2E001 現貨庫存充足，可通過深圳凌創輝電子有限公司立即采購。作為 羅姆半導體 代理商和供應商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來源可靠可追溯。我們提供BSM300D12P2E001價格報價查詢、datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦服務，支持批量采購與在線詢價。立即申請報價，獲取 BSM300D12P2E001 的最新價格和交期信息。
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