| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 250mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 25V |
| Power - Max | 120mW |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | EMT6 |
EM6K31GT2R 是由 羅姆半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA。
EM6K31GT2R 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2.4Ohm @ 250mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.3V @ 1mA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（15pF @ 25V）、Power - Max（120mW）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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