| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
MMBT5551-7-F 是由 德利通 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA、Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)。
MMBT5551-7-F 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（80 @ 10mA, 5V）、Power - Max（300 mW）、Frequency - Transition（300MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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