NSS60601MZ4T1G是安森美旗下的單雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供NSS60601MZ4T1G現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供NSS60601MZ4T1G datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 600mA, 6A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 800 mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
NSS60601MZ4T1G 是由 安森美 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS NPN 60V 6A SOT223。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 6 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
NSS60601MZ4T1G 共有 13 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（120 @ 1A, 2V）、Power - Max（800 mW）、Frequency - Transition（100MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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