| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
| Power - Max | 1.5 W |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | D-Pak |
MJD122-TP 是由 微電子元件公司 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Darlington、Current - Collector (Ic) (Max): 8 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A、Current - Collector Cutoff (Max): 10nA。
MJD122-TP 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（1000 @ 4A, 4V）、Power - Max（1.5 W）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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