| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200μA, 200mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 7000 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 625 mW |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
2N5306 TIN/LEAD 是由 中央半導體 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Darlington、Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200μA, 200mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
2N5306 TIN/LEAD 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（7000 @ 2mA, 5V）、Power - Max（625 mW）、Frequency - Transition（60MHz）、Operating Temperature（-65°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 中央半導體：Central Semiconductor，中文名「中央半導體」，自1974年起，便致力于為全球電子產品制造創新型分立式半導體元器件。作為業界資深的電子元件制造商，中央半導體在數十年的發展歷程中，憑借其卓越的技術實力和對品質的不懈追求，贏得了廣泛的市場認可。其核心產品線涵蓋了種類繁多的電子元件，包括但不限于標準及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管，以及前沿的碳化硅（SiC）器件。這些高質量的IC芯片和分立半導體元件，是現代電子設備不可或缺的組成部分。
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