MJE180 PBFREE是中央半導(dǎo)體旗下的單雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MJE180 PBFREE現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供MJE180 PBFREE datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Last Time Buy |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.7V @ 600mA, 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 1.5 W |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Supplier Device Package | TO-126 |
MJE180 PBFREE 是由 中央半導(dǎo)體 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS NPN 40V 3A TO126。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Last Time Buy、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 3 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
MJE180 PBFREE 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（50 @ 100mA, 1V）、Power - Max（1.5 W）、Frequency - Transition（50MHz）、Operating Temperature（-65°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 中央半導(dǎo)體：Central Semiconductor，中文名「中央半導(dǎo)體」，自1974年起，便致力于為全球電子產(chǎn)品制造創(chuàng)新型分立式半導(dǎo)體元器件。作為業(yè)界資深的電子元件制造商，中央半導(dǎo)體在數(shù)十年的發(fā)展歷程中，憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和對(duì)品質(zhì)的不懈追求，贏得了廣泛的市場(chǎng)認(rèn)可。其核心產(chǎn)品線涵蓋了種類繁多的電子元件，包括但不限于標(biāo)準(zhǔn)及定制化的小信號(hào)晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護(hù)器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管，以及前沿的碳化硅（SiC）器件。這些高質(zhì)量的IC芯片和分立半導(dǎo)體元件，是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的組成部分。
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