| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 200mA, 2V |
| Power - Max | 350 mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
MMBT619 是由 固錸 semiconductor 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANSISTOR, NPN, 2A, 50V, SOT-23。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 2 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 2A、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
MMBT619 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（300 @ 200mA, 2V）、Power - Max（350 mW）、Frequency - Transition（100MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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