2N2219A PBFREE是中央半導體旗下的單雙極晶體管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供2N2219A PBFREE現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供2N2219A PBFREE datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 800 mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Supplier Device Package | TO-39 |
2N2219A PBFREE 是由 中央半導體 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS NPN 40V 0.8A TO39。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)。
2N2219A PBFREE 共有 13 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 150mA, 10V）、Power - Max（800 mW）、Frequency - Transition（300MHz）、Operating Temperature（-65°C ~ 200°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 中央半導體：Central Semiconductor，中文名「中央半導體」，自1974年起，便致力于為全球電子產(chǎn)品制造創(chuàng)新型分立式半導體元器件。作為業(yè)界資深的電子元件制造商，中央半導體在數(shù)十年的發(fā)展歷程中，憑借其卓越的技術實力和對品質(zhì)的不懈追求，贏得了廣泛的市場認可。其核心產(chǎn)品線涵蓋了種類繁多的電子元件，包括但不限于標準及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管，以及前沿的碳化硅（SiC）器件。這些高質(zhì)量的IC芯片和分立半導體元件，是現(xiàn)代電子設備不可或缺的組成部分。
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